IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，价品绝缘栅双极型晶体管，质优是北京比高由BJT(双极型三▅极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器→件， 兼有MOSFET的动报高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

IGBT的价品开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基】极电流，质优使IGBT 导通。北京比高反之，动报加反向门极电压消除沟道，价品切『断基极电流，质优使IGBT 关断。北京比高IGBT 的动报驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输◥入极N一沟道MOSFET ，价品所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻□，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

采用光耦合器及CMOS 驱动IGBT，该电路自身带过流保护功能，光耦合器将脉冲控制电路与驱动电路隔离，4011 的四个与非门并联工作提高了驱动能力，互补晶体管V1、V2 降低驱动电路阻抗，通过R1、C1 与R2、C2 获得不同的正、反向驱动电压，以满足各种IGBT 对栅极驱动电压的要求。该电路由于受光耦合器传输速度的影响，其工作频率不能太高，同时受4011 型CMOS电路工作电压的限制，使+VGE 和-VGE 的幅∩值相互牵制，并受♂到限制。

IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VGE越高，VDS值就越低，器件∏的导通损耗就越小，这有利于充分发挥管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允许超过20 V，原因是一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越↘高，IGBT损坏的可能性就越大。通常，综合考虑取+15 V为宜。